慕尼黑上海電子展
2025年慕尼黑上海電子展于4月17日正式在上海新國際博覽中心正式落下帷幕，這場為期3天的展會，共匯聚了1,794家國內(nèi)外行業(yè)知名品牌企業(yè)，展示面積達10萬平米，吸引了66,960名專業(yè)觀眾到場參觀。涉及半導體、傳感器、人工智能、電源、測試測量、無源器件、顯示、連接器、開關、線束線纜、印刷電路板、電子制造服務、半導體制造等多個領域。
一、精彩回顧
HIGHLIGHTS
展會期間，真茂佳半導體展臺（N5·729）展示了公司產(chǎn)品和解決方案，吸引了眾多國內(nèi)外觀眾駐足，銷售團隊熱情接待來訪客戶，認真探討國產(chǎn)功率器件的新商機與合作機會，贏得了客戶的認同與贊揚。
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二、真茂佳產(chǎn)品
EXHIBITED PRODUCTS
真茂佳展出了中低壓 MOSFET、SiC MOSFET、IGBT系列產(chǎn)品矩陣，為行業(yè)提供高性能器件，助力客戶在高效能源時代搶占先機。
01
中低壓MOSFET
中低壓MOSFET共展出3款產(chǎn)品：
ZMSA005N04HNC
ZMTA004N04HNC
ZMSA019N08HNC
02
SiC MOSFET
本次SiC MOSFET共展出7款產(chǎn)品：
ZMC100KR330B7
ZMCA020R120H8
ZMCA040R120C4
ZMCA060R120T2
ZMC010R120Z1AAFF
ZMC030R120Z1BAFS
ZMC005R12062AAFF
03
IGBT
本次IGBT共展出4款產(chǎn)品：
ZMBGA40N120S1AC
ZMBG80N65S1AC
ZMBG75N120HD1ACP
ZMBG030N065DAZF
真茂佳展出了8寸GaN晶圓，同時展出了多種封裝形式，如雙面散熱封裝、雙芯半橋封裝、頂部散熱封裝、LFPAK/LFPAKD封裝、sTOLL封裝、DFN8*8封裝等，帶來多元化選擇。
▲8寸GaN晶圓
▲多種封裝形式
真茂佳展出了功率器件MOS管在汽車電子上的應用解決方案，包含車身的EPS、雨刮或車燈或座椅控制（域控制器）、無線充、DC-DC轉換、BMS、水泵、油泵。
車身應用全景圖
三、關于真茂佳
ABOUT ZMJ
深圳真茂佳半導體（ZMJ）——車規(guī)功率芯片領軍者！
技術領先：自主創(chuàng)新，掌握車規(guī)功率器件設計與封測核心工藝，產(chǎn)品性能達世界一流。
車規(guī)專家：全球TOP級中低壓車規(guī)MOSFET供應商，覆蓋250+車規(guī)型號，服務24+汽車品牌，產(chǎn)品廣泛應用于汽車熱管理域、底盤域、動力域、車身域及座艙域，累計出貨超十億顆。
全領域布局：深耕新能源汽車，拓展工業(yè)、消費電子及PC市場，產(chǎn)品型號合計近千種，靈活滿足多元需求。
可靠保障：自建CNAS認證實驗室，嚴格把關車規(guī)與工規(guī)品質，為客戶提供高可靠性解決方案。
真茂佳，用“芯”驅動未來！。
LV/MV MOSFET
真茂佳汽車級功率 MOSFET主要包含 RobustFETTM SpeedFETTM和 BPFETTM三大系列,擊穿電壓涵蓋-100V~200V,具有高可靠性及出色性能，內(nèi)阻最低達到0.4mΩ。
其低導通電阻和針對應用而優(yōu)化的動態(tài)參數(shù)帶來損耗小、效率高,低 EMI等優(yōu)點，目前已有超過 20多種封裝形式，250多款車規(guī)產(chǎn)品，主要應用于熱管理（引擎冷卻風扇&水泵&油泵），傳統(tǒng)動力系統(tǒng),底盤（EPS&i-Boost&、ESC&One-Box），電動化（逆變器 & DC-DC& OBC），車身電子,網(wǎng)聯(lián)化（T-box 等）,智能駕駛&智能座艙等，真茂佳通過器件結構創(chuàng)新和工藝開發(fā)，提升功率密度和封裝小型化，節(jié)省系統(tǒng)空間，增強散熱能力，提高器件可靠性。
真茂佳同樣專注于高性能第三代功率半導體技術,并開發(fā)出可靠、穩(wěn)健的SiC供應鏈，為國內(nèi)電源、動力驅動及能源轉換行業(yè)提供從分立器件到模組級解決方案。
主打產(chǎn)品為SiC MOSFET,產(chǎn)品電壓涵蓋 650V~3300V，電阻涵蓋 15mΩ~1.5Ω，現(xiàn)已量產(chǎn)。
真茂佳半導體公司完全按照高標準技術和工藝要求生產(chǎn) SiC產(chǎn)品，使其具有優(yōu)異的FOM特性和高可靠性。產(chǎn)品除了車用也適用于工業(yè)及新能源行業(yè)的充電樁、光伏逆變器、儲能逆變器、工業(yè)電機驅動和高性能輔助電源等應用場景。
真茂佳有 IGBT 芯片、成品及模塊等，已量產(chǎn)產(chǎn)品電壓涵蓋650V~1200V,其VCESAT典型值為1.57V和 1.67V。真茂佳 IGBT 產(chǎn)品具有超低飽和壓降、超低的動態(tài)損耗、更優(yōu)的折中曲線及高達200A/cm2的電流密度等優(yōu)點。真茂佳根據(jù)不達同應用及市場需求開發(fā)了系列產(chǎn)品：H系列(高頻)、T 系列(最佳性能+低損耗)、S 系列等，為客戶提供高質解決方案。
真茂佳主要開發(fā)高壓650V和中低壓30~350VGaN產(chǎn)品，產(chǎn)品的應用領域包括快充電源、激光雷達、DC/DC轉換器等。真茂佳立志為廣大客戶提供高易用性、高可靠性、高魯棒性和高功率密度的GaN產(chǎn)品，解決客戶在實際應用中遇到的問題,
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