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芯馭功率，車載未來 | 2025年慕尼黑上海電子展圓滿結(jié)束，期待再會(huì)！

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芯馭功率，車載未來 | 2025年慕尼黑上海電子展圓滿結(jié)束，期待再會(huì)！

企業(yè)新聞 | 發(fā)布時(shí)間：2025-04-21 18:41:30

慕尼黑上海電子展

2025年慕尼黑上海電子展于4月17日正式在上海新國際博覽中心正式落下帷幕，這場為期3天的展會(huì)，共匯聚了1,794家國內(nèi)外行業(yè)知名品牌企業(yè)，展示面積達(dá)10萬平米，吸引了66,960名專業(yè)觀眾到場參觀。涉及半導(dǎo)體、傳感器、人工智能、電源、測試測量、無源器件、顯示、連接器、開關(guān)、線束線纜、印刷電路板、電子制造服務(wù)、半導(dǎo)體制造等多個(gè)領(lǐng)域。

一、精彩回顧

HIGHLIGHTS

展會(huì)期間，真茂佳半導(dǎo)體展臺(tái)（N5·729）展示了公司產(chǎn)品和解決方案，吸引了眾多國內(nèi)外觀眾駐足，銷售團(tuán)隊(duì)熱情接待來訪客戶，認(rèn)真探討國產(chǎn)功率器件的新商機(jī)與合作機(jī)會(huì)，贏得了客戶的認(rèn)同與贊揚(yáng)。

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二、真茂佳產(chǎn)品

EXHIBITED PRODUCTS

亮相產(chǎn)品

真茂佳展出了中低壓 MOSFET、SiC MOSFET、IGBT系列產(chǎn)品矩陣，為行業(yè)提供高性能器件，助力客戶在高效能源時(shí)代搶占先機(jī)。

中低壓MOSFET

中低壓MOSFET共展出3款產(chǎn)品：

ZMSA005N04HNC

ZMTA004N04HNC

ZMSA019N08HNC

SiC MOSFET

本次SiC MOSFET共展出7款產(chǎn)品：

ZMC100KR330B7

ZMCA020R120H8

ZMCA040R120C4

ZMCA060R120T2

ZMC010R120Z1AAFF

ZMC030R120Z1BAFS

ZMC005R12062AAFF

IGBT

本次IGBT共展出4款產(chǎn)品：

ZMBGA40N120S1AC

ZMBG80N65S1AC

ZMBG75N120HD1ACP

ZMBG030N065DAZF

晶圓&封裝

真茂佳展出了8寸GaN晶圓，同時(shí)展出了多種封裝形式，如雙面散熱封裝、雙芯半橋封裝、頂部散熱封裝、LFPAK/LFPAKD封裝、sTOLL封裝、DFN8*8封裝等，帶來多元化選擇。

▲8寸GaN晶圓

▲多種封裝形式

汽車應(yīng)用解決方案

真茂佳展出了功率器件MOS管在汽車電子上的應(yīng)用解決方案，包含車身的EPS、雨刮或車燈或座椅控制（域控制器）、無線充、DC-DC轉(zhuǎn)換、BMS、水泵、油泵。

車身應(yīng)用全景圖

三、關(guān)于真茂佳

ABOUT ZMJ

深圳真茂佳半導(dǎo)體（ZMJ）——車規(guī)功率芯片領(lǐng)軍者！

技術(shù)領(lǐng)先：自主創(chuàng)新，掌握車規(guī)功率器件設(shè)計(jì)與封測核心工藝，產(chǎn)品性能達(dá)世界一流。

車規(guī)專家：全球TOP級(jí)中低壓車規(guī)MOSFET供應(yīng)商，覆蓋250+車規(guī)型號(hào)，服務(wù)24+汽車品牌，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車熱管理域、底盤域、動(dòng)力域、車身域及座艙域，累計(jì)出貨超十億顆。

全領(lǐng)域布局：深耕新能源汽車，拓展工業(yè)、消費(fèi)電子及PC市場，產(chǎn)品型號(hào)合計(jì)近千種，靈活滿足多元需求。

可靠保障：自建CNAS認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室，嚴(yán)格把關(guān)車規(guī)與工規(guī)品質(zhì)，為客戶提供高可靠性解決方案。

真茂佳，用“芯”驅(qū)動(dòng)未來！。

真茂佳產(chǎn)品系列

LV/MV MOSFET

真茂佳汽車級(jí)功率 MOSFET主要包含 RobustFET^TM SpeedFET^TM和 BPFET^TM三大系列,擊穿電壓涵蓋-100V~200V,具有高可靠性及出色性能，內(nèi)阻最低達(dá)到0.4mΩ。

其低導(dǎo)通電阻和針對應(yīng)用而優(yōu)化的動(dòng)態(tài)參數(shù)帶來損耗小、效率高,低 EMI等優(yōu)點(diǎn)，目前已有超過 20多種封裝形式，250多款車規(guī)產(chǎn)品，主要應(yīng)用于熱管理（引擎冷卻風(fēng)扇&水泵&油泵），傳統(tǒng)動(dòng)力系統(tǒng),底盤（EPS&i-Boost&、ESC&One-Box），電動(dòng)化（逆變器 & DC-DC& OBC），車身電子,網(wǎng)聯(lián)化（T-box 等）,智能駕駛&智能座艙等，真茂佳通過器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新和工藝開發(fā)，提升功率密度和封裝小型化，節(jié)省系統(tǒng)空間，增強(qiáng)散熱能力，提高器件可靠性。

SiC MOSFET

真茂佳同樣專注于高性能第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),并開發(fā)出可靠、穩(wěn)健的SiC供應(yīng)鏈，為國內(nèi)電源、動(dòng)力驅(qū)動(dòng)及能源轉(zhuǎn)換行業(yè)提供從分立器件到模組級(jí)解決方案。

主打產(chǎn)品為SiC MOSFET,產(chǎn)品電壓涵蓋 650V~3300V，電阻涵蓋 15mΩ~1.5Ω，現(xiàn)已量產(chǎn)。

真茂佳半導(dǎo)體公司完全按照高標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)和工藝要求生產(chǎn) SiC產(chǎn)品，使其具有優(yōu)異的FOM特性和高可靠性。產(chǎn)品除了車用也適用于工業(yè)及新能源行業(yè)的充電樁、光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高性能輔助電源等應(yīng)用場景。

IGBT

真茂佳有 IGBT 芯片、成品及模塊等，已量產(chǎn)產(chǎn)品電壓涵蓋650V~1200V,其VCESAT典型值為1.57V和 1.67V。真茂佳 IGBT 產(chǎn)品具有超低飽和壓降、超低的動(dòng)態(tài)損耗、更優(yōu)的折中曲線及高達(dá)200A/cm²的電流密度等優(yōu)點(diǎn)。真茂佳根據(jù)不達(dá)同應(yīng)用及市場需求開發(fā)了系列產(chǎn)品：H系列(高頻)、T 系列(最佳性能+低損耗)、S 系列等，為客戶提供高質(zhì)解決方案。

GaN

真茂佳主要開發(fā)高壓650V和中低壓30~350VGaN產(chǎn)品，產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域包括快充電源、激光雷達(dá)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等。真茂佳立志為廣大客戶提供高易用性、高可靠性、高魯棒性和高功率密度的GaN產(chǎn)品，解決客戶在實(shí)際應(yīng)用中遇到的問題,